IGBT作為目前主流的半導體功率器件，被廣泛應用于新能源汽車、航天航空、可再生能源等領域。在實際應用中，IGBT模塊的工作環境幾乎都處于高溫狀態，因此大部分模塊都會采用NTC熱敏電阻進行溫度保護及溫度監測，以防過溫導致IGBT模塊的失效。

考慮到IGBT模塊長時間且高溫的工作環境，一般選取MELF貼片玻封NTC熱敏電阻（工作溫度范圍：-40℃~250℃），以保證IGBT內部結溫監測工作的順利開展。除此之外，在IGBT模塊中應用MELF貼片玻封NTC熱敏電阻還有以下優點：

一、IGBT模塊內部布局較緊湊，無引線結構能更好地配合IGBT內部其它元器件的安裝；

二、片式結構使MELF貼片玻封NTC熱敏電阻盡可能地靠近被測器件，可確保測溫過程的高精準度；

三、玻璃封裝的防潮性能相較于其它封裝方式更好，在IGBT高溫高濕的工作環境也能發揮熱敏電阻優良的負溫度特性。

隨著功率器件研發技術的日趨成熟以及應用場景的不斷拓寬，比IGBT模塊技術性能更優越的SiC碳化硅模塊應運而生。SiC碳化硅模塊之所以比IGBT模塊更受青睞，是因為其開關頻率更高、開關損耗更低、熱力性能更好，顯著提升的產品應用的工作效率。為配合制造廠商進行模塊更新換代，廣東愛晟電子科技有限公司推出了自主研發的新產品——門極電阻。其分為垂直式以及水平式，可實現垂直導通和水平導通兩種結構，相較于MELF貼片玻封NTC熱敏電阻，安裝位置的選擇更靈活。固定電阻還擁有良好的穩定性，使SiC碳化硅模塊中的實時結溫數據獲取過程能更平穩。