單層芯片電容被廣泛應用于微波通訊、微波功率放大器、微波集成電路等,起到隔直通交、RF旁路、濾波、調諧等作用?,F有的單層芯片電容的制備工藝為:陶瓷粉料配料→球磨→等靜壓成型→燒結陶瓷錠→切片→絲網印刷法印刷銀漿→烘干→燒銀→劃切。然而,使用銀電極和采用絲網印刷法存在以下幾個問題:
一、銀漿在絲網印刷和烘干過程中容易受到污染,且得到的銀電極容易氧化、發黃發黑,造成產品的穩定性和可靠性較差;
二、前期制備銀漿和后期烘干銀漿、燒結銀電極的工序較為繁瑣;
三、印刷制得的銀電極層厚度較大且在陶瓷基片的表面上覆蓋不均勻,在劃切過程中容易起皮和產生毛刺,銀漿材料損耗較多;
四、銀層在高溫燒結時會重新結晶,晶型改變從而性能發生改變,造成產品電氣性能下降;
五、在高溫燒銀過程中排放的氣體對環境造成污染。
為解決上述問題,廣東愛晟電子科技有限公司介紹一款高可靠Ir-Cu-Au復合電極單層芯片電容,其具有穩定性好、可靠性高、不易老化、耐冷熱沖擊等優點。具體制備方法如下:
1)制備陶瓷基材
按常規單層芯片電容陶瓷配方配得陶瓷粉末,再對陶瓷粉末進行球磨、等靜壓成型、燒結、切片,得到片狀的陶瓷基材。
2)一次清洗
使用清洗液處理陶瓷基材,再使用超聲波機清洗,清洗時間為5±1分鐘,然后烘干,烘干溫度為100±5℃,烘干時間為30±5分鐘。
3)二次清洗
將一次清洗得到的陶瓷基材放到等離子清洗機中進行二次清洗,清洗時間為5±1分鐘,烘干溫度為100±5℃,烘干時間為30±5分鐘,同時活化表面。
4)濺射銥層
先將真空濺射鍍膜機抽真空到工藝范圍,再充入氬氣作為工作氣體,以銥作為靶材,在電場作用下,Ar+加速轟擊靶材,將靶材原子濺射到陶瓷基材上,在陶瓷基材的兩表面上分別濺射一層銥層,濺射厚度為0.01~2微米。
5)濺射銅層
先將真空濺射鍍膜機抽真空到工藝范圍,再充入氬氣作為工作氣體,以銅作為靶材,在電場作用下,Ar+加速轟擊靶材,將靶材原子濺射到陶瓷基材上,在陶瓷基材兩表面的銥層表面上分別濺射一層銅層,濺射厚度為0.01~2微米。
6)濺射金層
先將真空濺射鍍膜機抽真空到工藝范圍,再充入氬氣作為工作氣體,以金作為靶材,在電場作用下,Ar+加速轟擊靶材,將靶材原子濺射到陶瓷基材上,在陶瓷基材兩表面的銅層表面上分別濺射一層金層,濺射厚度為0.01~1微米。
7)對陶瓷基材進行劃切,得到單層芯片電容。
參考數據:
CN111180203A《一種高精度高可靠Ir-Cu-Au復合電極芯片電容》
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